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Célula LN Pockels
WiSOPTIC' LiNbO3 Pockels Cells Características:
• Varios tamaños de componentes terminados para diferentes aplicaciones, tan pequeños como 1.0x1.0x40mm disponibles
• Cristal LiNbO3 de alta calidad desarrollado internamente
• MgO dopado LiNbO3 disponible para sistemas de alta potencia
• Estricto control de calidad
• Precio muy competitivo y gran descuento OEM
• Soporte técnico gratuito siempre
• Entrega rápida: directamente desde nuestra fábrica a través de UPS, DHL o FedEx
El cristal de LiNbO 3 es un material fotoeléctrico de bajo costo con buenas propiedades mecánicas y físicas, así como una alta homogeneidad óptica. Ha sido ampliamente utilizado como duplicadores de frecuencia para longitudes de onda > 1 mm y osciladores paramétricos ópticos (OPO) bombeados a 1064 nm, así como dispositivos de cuasifase coincidente (QPM). Con coeficientes de EO preferibles, el cristal de LiNbO3 se ha convertido en el material más utilizado para interruptores Q y moduladores de fase, sustrato de guía de ondas y obleas de ondas acústicas de superficie (SAW), etc. En comparación con LiNbO3, el cristal de MgO:LiNbO3 exhibe un umbral de daño más alto.
Las células LiNBO 3 Pockels abordan longitudes de onda desde 1,064 μm hasta infrarrojos de hasta 4,0 μm. Operan a voltajes más bajos que las celdas KD*P comparables, aunque los voltajes aumentan en las longitudes de onda más largas. El zumbido inducido piezoeléctricamente es un factor importante en los cristales de LiNbO 3 , por lo que la tasa de repetición máxima recomendada para las células Pockels de LiNbO 3 es de aproximadamente 1 kHz.
Especificaciones estándar WISOPTIC - LiNbO3 Pockels Cell
Dimensiones |
(2×2 ~9×9)×25 mm |
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Tolerancia de dimensión |
± 0,1 mm |
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Tolerancia de ángulo |
± 0.5° |
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Llanura |
< l/8 @ 632.8 nm |
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Calidad de la superficie |
< 20/10 [S/D] |
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Paralelismo |
< 20" |
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Perpendicularidad |
≤ 5' |
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Chaflán |
≤ 0.2mm @ 45° |
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Distorsión del frente de onda transmitida |
< l/4 @ 632.8 nm |
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Capacitancia |
20 pF |
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Electrodos |
Oro |
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Voltaje l/4 |
~1.5 kV (@ 1064 nm) |
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Relación de extinción dinámica |
20 dB (@ 1064 nm) |
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Apertura clara |
8,5 mm (> 90% de área central) |
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Capa |
Recubrimiento AR: R < 0.2% @ 1064 nm, R < 0.5% @ 532 nm |
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Umbral de daño láser |
En |
100 MW/cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
MgO : LN |
150 MW/cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
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