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LN E-O Q-Switch
Gran coeficiente óptico no lineal
Gran ángulo de recepción
Pequeño ángulo de salida
Amplia temperatura y ancho de banda espectral
Alto coeficiente fotoeléctrico y baja constante dieléctrica
Propiedades químicas y mecánicas estables y no absorbentes
Células Pockels de mínima pérdida con cristales LN (LiNbO 3 ) de calidad SUPERIOR desarrollados internamente
Pulido y recubrimiento de superficies de alta calidad.
LN y PPLN dopados con MgO están disponibles
Vida útil larga y comprobada, 2 años de garantía
20 años de experiencia al servicio de las aplicaciones láser más exigentes
WISOPTIC cultiva internamente KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO y LN
Ser comprado y confiado por docenas de empresas de láser en todo el mundo
LiNbO 3 El cristal (niobato de litio, LN) es un material multifuncional que integra propiedades piezoeléctricas, ferroeléctricas, piroeléctricas, no lineales, electro-ópticas, fotoelásticas, etc. LiNbO 3 tiene buena estabilidad térmica y estabilidad química.
Entre los cristales de EO, LN y DKDP son los dos materiales principales que han resultado prácticos. Los cristales DKDP se pueden cultivar fácilmente con una alta homogeneidad óptica, lo que puede satisfacer el requisito de una celda de Pockels de gran calibre. Sin embargo, DKDP es soluble en agua y debe protegerse cuidadosamente de la humedad, lo que complica su fabricación y aplicación. Además, el fluido de igualación del índice de refracción desactivará la celda DKDP Pockels a baja temperatura. Sin embargo, un requisito bien conocido para la celda de Pockels es operar en un amplio rango de temperatura, especialmente para aplicaciones militares. Afortunadamente, los cristales de LN no son higroscópicos y poseen un coeficiente de absorción y una pérdida de inserción bajos. Además, pueden operar de manera estable en un amplio rango de temperatura, lo que hace que los cristales LN sean los principales cristales EO aplicados en aplicaciones militares.
Los interruptores Q electro-ópticos LN se utilizan ampliamente en láseres Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG y son adecuados para salida de interruptor Q de baja potencia, especialmente en rango de láser. Ofrecemos los interruptores Q más compactos para nuestros clientes.
Las celdas de LN Pockels pueden ser muy compactas y el voltaje de media onda puede ser muy bajo. Dopando MgO en LiNbO 3 , el umbral de daño de las células LN Pockels puede incrementarse dramáticamente.
Dimensiones |
(2×2~9×9)×25mm |
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Tolerancia de dimensión |
± 0,1 mm |
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Tolerancia de ángulo |
± 0,5° |
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Llanura |
< λ/8 a 632,8 nm |
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Calidad de la superficie |
< 20/10 [D/D] |
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Paralelismo |
< 20” |
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Perpendicularidad |
≤ 5' |
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Chaflán |
≤ 0,2 mm a 45° |
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Distorsión de frente de onda transmitida |
< λ/4 a 632,8 nm |
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Capacidad |
20pF |
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electrodos |
Oro |
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l/4 Voltaje |
~1,5 kV (@ 1064 nm) |
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Relación de extinción dinámica |
20dB (@ 1064nm) |
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Apertura clara |
8,5 mm (> 90% área central) |
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Revestimiento |
Recubrimiento AR: R < 0.2% @ 1064 nanómetro , R < 0,5 % @ 532 Nuevo Méjico |
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Umbral de daño por láser |
LN |
100 MW/ cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
MgO : LN |
150 MW/ cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
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