Alto poder promedio Alto LIDT KTiOPO4 Q-Switch

No higroscópico

Excelente uniformidad óptica

Amplio ancho de banda óptico de 500-2800nm

Pérdidas de absorción bajas a una longitud de onda de 1064 nm (<250 ppm/cm a 1064 nm)

Alta relación de extinción (>25 dB @ 633nm)

Bajo voltaje de media onda para aplicaciones electro-ópticas

Timbre piezoeléctrico mínimo compatible para 1MHz

Tiempo de subida inferior a 1 ns para conmutación precisa en láser de alta tasa de repetición

Alto umbral de daño inducido por láser (> 600MW/cm 2 a 10 Hz, 10 ns a 1064 nm)

Diseño de alta resistividad y compensado térmicamente para operar en un amplio rango de temperatura (-50 a +70 ℃)


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Detalles del producto

El cristal de KTP de cultivo hidrotermal mejorado supera el daño por electrocromismo común del KTP de cultivo fundente. El KTP de crecimiento hidrotermal (HGTR-KTP o GTR-KTP) tiene un alto umbral de daño, grandes coeficientes electroópticos efectivos y un voltaje de media onda más bajo.  Los interruptores Q KTP EO fabricados con cristales HGTR-KTP utilizan diseños de doble cristal con compensación térmica. Se utilizan principalmente en láseres de pulso con ancho de pulso estrecho y alta frecuencia de repetición. Dando ventajas de alta relación de extinción, bajo voltaje de media onda y sin efecto de timbre piezoeléctrico bajo alta frecuencia de repetición, los interruptores Q KTP EO son ampliamente utilizados en alcance láser, láser lidar, láseres médicos e industriales, etc.

WISOPTIC proporciona consulta técnica, servicio de diseño, muestra de prueba personalizada y productos estándar de entrega rápida de interruptores KTP EO Q.


Tamaños de uno de los pares de KTP

(mm)

corte en X

corte en Y

Resistividad electrica

(ohmios · cm)

HWV @1064nm

(V)

Relación de extinción

a 633 nm (dB)

HWV @1064nm

(V)

Relación de extinción

a 633 nm (dB)

3 × 3 × 10

1200

> 25

1000

> 20

> 10 11

4 × 4 × 10

1600

> 25

1300

> 20

> 10 11

5 × 5 × 10

2000

> 25

1600

> 20

> 10 11

6 × 6 × 10

2300

> 25

mil novecientos

> 20

> 10 11

7 × 7 × 10

2700

> 25

2200

> 20

> 10 11

8 × 8 × 10

3100

> 25

2500

> 20

> 10 11

9 × 9 × 10

3500

> 25

2800

> 20

> 10 11

Umbral de daño:   > 600   PM /cm 2 para pulsos de 10 ns a 1064 nm (recubrimiento AR)


High Average Power High LIDT KTiOPO4 Q-Switch.jpg


High Average Power High LIDT KTiOPO4 Q-Switch.jpg

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