Célula Pockels KD*P sin pérdidas para Q-Switching de alta potencia

Relaciones de contraste de voltaje de hasta 15000:1
Células Pockels de menor pérdida con 99 % de grado KD*P desarrolladas internamente
Vida útil larga y comprobada, 2 años de garantía
20 años de experiencia en el servicio de las aplicaciones láser más exigentes con KD*P y KDP, incluida la celda Pockels de gran apertura (diámetro > 20 mm) para sistemas láser de alta potencia (p. ej., ICF)
WISOPTIC cultiva internamente KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO y LN
Ser comprado y confiado por docenas de empresas de láser en todo el mundo

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Detalles del producto

El EO Q-switch (célula de Pockels) es un dispositivo electroóptico en el que el cristal produce cambios lineales en la birrefringencia del cristal (en contraste con el efecto Kerr, que es cuadrático con E ). Las celdas de Pockels son componentes esenciales en varios dispositivos ópticos, como interruptores Q para láseres, moduladores electroópticos de espacio libre, interruptores de espacio libre.

WISOPTIC utiliza cristal DKDP (KD*P) altamente deuterado (D%>99%) para fabricar interruptores Q de alta calidad con un alto umbral de daño inducido por láser. Estos dispositivos pueden controlar de forma rápida y precisa la dirección de polarización de la salida del láser en función del voltaje aplicado. Algunos de nuestros Q-switches tienen ventanas en forma de cuña para garantizar una compensación de 0° y minimizar los reflejos traseros.

Apertura clara	8 milímetro	10 milímetro	12 milímetro	13 milímetro
Pérdida de inserción de un solo paso	< 2 % a 1064 nanómetros
Relación de contraste intrínseco	> 5000:1 a 1064 nm
Relación de contraste de voltaje	> 2000:1 a 1064 nm
Distorsión de frente de onda	< l/6@ 633 nm
Capacitancia CC	<4.5 pF	<5,0 pF	<5.5 pF	<8,0 pF
Voltaje de cuarto de onda de CC	3200 +/- 200 V a 1064 nm
Transmisión de un solo paso	> 98,5%
Umbral de daños por láser	750 MW/cm2 [RA recubrimiento@1064nm,10ns,10Hz]