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Interruptor Q LiNbO3 EO de pulso de bloque único
Gran coeficiente óptico no lineal
Gran ángulo de recepción
Pequeño ángulo de salida
Amplia temperatura y ancho de banda espectral
Alto coeficiente fotoeléctrico y baja constante dieléctrica
Propiedades químicas y mecánicas estables y no absorbentes
Células Pockels de mínima pérdida con cristales LN (LiNbO 3 ) de calidad SUPERIOR desarrollados internamente
Pulido y recubrimiento de superficies de alta calidad.
LN y PPLN dopados con MgO están disponibles
Vida útil larga y comprobada, 2 años de garantía
20 años de experiencia al servicio de las aplicaciones láser más exigentes
WISOPTIC cultiva internamente KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO y LN
Ser comprado y confiado por docenas de empresas de láser en todo el mundo
Los cristales LN no son higroscópicos y tienen un coeficiente de absorción y una pérdida de inserción bajos . Además, el cristal LN puede funcionar de manera estable en un amplio rango de temperatura , lo que los convierte en el principal cristal EO aplicado en los sistemas láser militares.
Los interruptores Q electro-ópticos de LN se utilizan ampliamente en láseres Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG y son adecuados para salida de interruptor Q de baja potencia, especialmente en rango de láser. Las celdas LN Pockels pueden ser muy compactas y el voltaje de media onda puede ser muy bajo. Dopando MgO en LiNbO 3 , el umbral de daño de las células LN Pockels puede aumentarse drásticamente. Ofrecemos los interruptores Q más compactos para nuestros clientes.
Dimensiones |
(2×2~9×9)×25mm |
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Tolerancia de dimensión |
± 0,1 mm |
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Tolerancia de ángulo |
± 0,5° |
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Llanura |
< λ/8 a 632,8 nm |
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Calidad de la superficie |
< 20/10 [D/D] |
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Paralelismo |
< 20” |
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Perpendicularidad |
≤ 5' |
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Chaflán |
≤ 0,2 mm a 45° |
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Distorsión de frente de onda transmitida |
< λ/4 a 632,8 nm |
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Capacidad |
20pF |
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electrodos |
Oro |
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l/4 Voltaje |
~1,5 kV (@ 1064 nm) |
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Relación de extinción dinámica |
20dB (@ 1064nm) |
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Apertura clara |
8,5 mm (> 90% área central) |
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Revestimiento |
Recubrimiento AR: R < 0.2% @ 1064 nanómetro , R < 0,5 % @ 532 Nuevo Méjico |
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Umbral de daño por láser |
LN |
100 MW/ cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
MgO : LN |
150 MW/ cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
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