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KTP E-O Q-Switch
• No higroscópico
• Excelente uniformidad óptica
• Amplio ancho de banda óptico de 500-2800nm
• Pérdidas de absorción bajas a una longitud de onda de 1064 nm (<250 ppm/cm a 1064 nm)
•Alta relación de extinción (>25 dB @ 633nm)
• Bajo voltaje de media onda para aplicaciones electro-ópticas
• Timbre piezoeléctrico mínimo compatible para 1MHz
• Tiempo de subida inferior a 1 ns para conmutación precisa en láser de alta tasa de repetición
• Alto umbral de daño inducido por láser (> 600MW/cm 2 a 10 Hz, 10 ns a 1064 nm)
• Diseño de alta resistividad y compensado térmicamente para operar en un amplio rango de temperatura (-50 ℃ a +70 ℃)
El cristal KTP HGTR (High Gray Track Resistance) desarrollado por el método hidrotérmico supera el fenómeno común del electrocromismo del KTP de flujo, por lo que tiene muchas ventajas, como alta resistividad eléctrica, baja pérdida de inserción, bajo voltaje de media onda, alto umbral de daño por láser. , y banda ancha de transmisión. HGTR-KTP tiene muchas aplicaciones electro-ópticas como Q-switching para láseres de alta tasa de repetición.
Cristales HGTR-KTP para aplicaciones EO
Pérdida de inserción baja, voltaje de cuarto de onda bajo
Alta tasa de repetición
Amplio ancho de banda óptico
Alto umbral dañino
Sin timbre piezoeléctrico
Aplicación: interruptores Q, selección de pulsos y modulador EO
Tamaños de uno de los pares de KTP (mm) |
corte en X |
corte en Y |
Resistividad electrica (ohmios · cm) |
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HWV @1064nm (V) |
Relación de extinción a 633 nm (dB) |
HWV @1064nm (V) |
Relación de extinción a 633 nm (dB) |
||
3 × 3 × 10 |
1200 |
> 25 |
1000 |
> 20 |
> 10 11 |
4 × 4 × 10 |
1600 |
> 25 |
1300 |
> 20 |
> 10 11 |
5 × 5 × 10 |
2000 |
> 25 |
1600 |
> 20 |
> 10 11 |
6 × 6 × 10 |
2300 |
> 25 |
mil novecientos |
> 20 |
> 10 11 |
7 × 7 × 10 |
2700 |
> 25 |
2200 |
> 20 |
> 10 11 |
8 × 8 × 10 |
3100 |
> 25 |
2500 |
> 20 |
> 10 11 |
9 × 9 × 10 |
3500 |
> 25 |
2800 |
> 20 |
> 10 11 |
Umbral de daño: > 600 PM /cm 2 para pulsos de 10 ns @ 1064 nm (recubrimiento AR) |
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