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RTP E-O Q-Switch
• Ancho de banda óptico amplio (0,35-4,5 μm)
• Baja pérdida de inserción
• Voltaje de media onda baja
• Bajo voltaje de funcionamiento
• Alta tasa de extinción
• Umbral de daño láser muy alto
• Sin efecto de timbre piezoeléctrico
• Conmutación precisa en láser de alta velocidad repetitiva con controladores de voltaje súper rápidos
• Diseño compensado térmicamente para operar en un amplio rango de temperaturas
• Diseño compacto , muy fácil de montar y ajustar
• Cristal RTP de calidad con alta resistencia ambiental y larga vida útil
RTP (Rubidium Titanyl Phosphate - RbTiOPO 4 ) es un material de cristal robusto adecuado para una amplia gama de aplicaciones de EO. Tiene las ventajas de un umbral de daño más alto (alrededor de 1,8 veces el de KTP), alta resistividad, alta tasa de repetición, sin efecto higroscópico o piezoeléctrico. RTP presenta una buena transparencia óptica desde alrededor de 400 nm hasta más de 4 µm y, lo que es muy importante para el funcionamiento con láser intracavitario, ofrece una alta resistencia al daño óptico con un manejo de potencia de ~1 GW/cm 2 para pulsos de 1 ns a 1064 nm.
El interruptor Q EO (células de bolsillo) se basa en dos cristales RTP en un diseño de compensación de temperatura
que permite el uso de estos dispositivos dentro de un amplio rango de temperatura desde -60 °C hasta +70 °C.
Las células RTP Pockels son ampliamente utilizadas en el rango láser, lidar láser, láseres médicos y láseres industriales, etc.
WISOPTIC proporciona consultas técnicas, diseño optimizado, muestra de prueba personalizada y productos estándar de entrega rápida de celdas RTP Pockels para Q-switching y selección de pulsos de alta tasa de repetición.
Aplicaciones de dispositivos RTP EO:
Q-interruptor
modulador de fase
modulador de amplitud
selector de pulso
Volquete de cavidad
Obturador
atenuador
Deflector
Cristal Size |
4x4x10 milímetros |
6x6x10 milímetros |
8x8x10 mm |
Cantidad de cristales |
2 |
2 |
2 |
Voltaje estático de media onda @ 1064 nm |
Corte X: 1700 V Corte en Y: 1400 V |
Corte X: 2500 V Corte en Y: 2100 V |
Corte X: 3300 V Corte en Y: 2750 V |
Relación de extinción |
Corte X: > 25 dB Corte en Y: > 23 dB |
Corte X: > 23 dB Corte en Y: > 21 dB |
Corte X: > 21 dB Corte en Y: > 20 dB |
Capacitancia |
5 ~ 6 pF |
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Transmisión óptica |
> 99% |
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Umbral de daño |
> 600 MW/cm2 para pulsos de 10 ns @ 1064 nm (recubrimiento AR) |
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