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Cristal estequiométrico LN

Ventajas de MgO:SLN
● Bajo campo magnético: adecuado para procesos de coincidencia de fase de alta precisión y alta velocidad
● 20%-50% mayor conductividad térmica mayor que el MgO:LN normal
● Alto umbral de daño fotorrefractivo

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Detalles del producto

En comparación con el cristal LN (cLN) congruente, el coeficiente electroóptico, el coeficiente óptico no lineal, el voltaje de inversión de polarización periódica y las propiedades fotorrefractivas aplicadas del cristal estequiométrico LN (sLN) mejoran considerablemente. Con propiedades físicas tan excelentes y amplias perspectivas de aplicación, el cristal sLN se ha convertido rápidamente en un material optoelectrónico competitivo.

Se espera que los cristales de sLN sean termodinámicamente estables hasta su temperatura de fusión a 1170°C, manteniendo una mayor
eléctrico resistividad que cLN cristales por una ordenar de magnitud a cualquier temperatura. Se observaron prometedoras señales de ondas acústicas masivas (BAW) hasta 880 °C en resonadores BAW basados en sLN, con un factor de calidad Q estable hasta 700 °C.

Aplicaciones Típicas
● Dispositivo periódicamente polarizado
● dispositivo de THz

Descripción	Valor
Borde de absorción (20 cm ^-1 )	303 ( c =49,9)
Índice de birrefringencia (633nm)	-0.0900 ( c =50.0)
Coeficiente electroóptico (pm/V)	R ₆₁ = 9,89 ( c = 49,95)
Coeficiente no lineal (pm/V)	17,5 ( c =49,8)
Pico de absorción de OH/FWHM（cm ^-1 ）	3465,5/2,9 ( c =49,9)
Voltaje de inversión de dominio (kV/cm²)	0,8 ( c =49,9)
Umbral de daño	100MW/ ^cm2 @532nm
c en la tabla es el contenido de Li ₂ O del cristal