Célula LN Pockels
• Varios tamaños de componentes terminados para diferentes aplicaciones.
• Cristal LiNbO3 de alta calidad desarrollado internamente.
• MgO dopado LiNbO3 disponible para sistemas de alta potencia.
• Estricto control de calidad.
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El cristal LiNbO3 (Niobato de Litio, LN) es un material multifuncional que integra propiedades piezoeléctricas, ferroeléctricas, piroeléctricas, no lineales, electroópticas, fotoelásticas, etc. LiNbO3 tiene buena estabilidad térmica y estabilidad química.
Entre los cristales EO , LN y DKDP son los dos materiales primarios que han sido prácticos. Los cristales DKDP se pueden cultivar fácilmente con una alta homogeneidad óptica, que puede satisfacer el requisito de una célula Pockels de gran calibre. Sin embargo, DKDP es soluble en agua y debe protegerse cuidadosamente de la humedad, lo que complica su fabricación y aplicación. Además, el fluido de coincidencia de índice de refracción desactivará la celda DKDP Pockels a baja temperatura. Sin embargo, un requisito bien conocido para la célula DePockels es operar en un amplio rango de temperatura, especialmente para aplicaciones militares. Afortunadamente, los cristales de LN no son higroscópicos y poseen un bajo coeficiente de absorción y pérdida de inserción. Además, pueden funcionar de manera estable en un amplio rango de temperatura, lo que hace que los cristales LN sean el principal cristal EO aplicado en aplicaciones militares.
Las celdas LN Pockels pueden ser muy compactas, y el voltaje de media onda puede ser muy bajo. Al dopar MgO en LiNbO3, el umbral de daño de las células LN Pockels puede aumentar dramáticamente.
Especificaciones estándar WISOPTIC* - LiNbO3 Pockels Cell
Dimensiones |
(2×2 ~ 9×9) ×25 mm |
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Tolerancia de dimensión |
± 0,1 mm |
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Tolerancia de ángulo |
± 0.5° |
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Llanura |
< l/8 @ 632.8 nm |
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Calidad de la superficie |
< 20/10 [S/D] |
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Paralelismo |
< 20" |
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Perpendicularidad |
≤ 5' |
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Chaflán |
≤ 0.2mm @ 45° |
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Distorsión del frente de onda transmitida |
< l/4 @ 632.8 nm |
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Capacitancia |
20 pF |
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Electrodos |
Oro |
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Voltaje l/4 |
~1.5 kV (@ 1064 nm) |
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Relación de extinción dinámica |
20 dB (@ 1064 nm) |
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Apertura clara |
8,5 mm (> 90% de área central) |
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Capa |
Recubrimiento AR: R < 0.2% @ 1064 nm, R < 0.5% @ 532 nm |
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Umbral de daño láser |
En |
100 MW/cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
MgO : LN |
150 MW/cm2 @ 10ns, 10Hz, 1064nm |