Cristal RTP

Alta homogeneidad
Excelente calidad interna
Alta resistividad eléctrica
Alta calidad de pulido de superficies
Coincidencia precisa de pares
Precio competitivo
Producción en masa, entrega rápida


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Detalles del producto

RTP (RbTiOPO4) es un isomorfo del cristal KTP. RTP tiene muchas ventajas, por ejemplo, un gran coeficiente óptico no lineal, un gran coeficiente E-O , un alto umbral de daño (aproximadamente 1,8 veces el KTP), alta resistividad, alta tasa de repetición, sin higroscopia y sin efecto piezoeléctrico inducido con señales eléctricas de hasta 60 kHz. El rango de transmisión de RTP es de 350 nm a 4500 nm.

El cristal RTP es ampliamente utilizado en el sistema de conmutación láser Q con repetición de alta frecuencia, alta potencia y ancho de pulso estrecho. Los dispositivos RTP E-O no solo se utilizan en micromecanizado láser y rango láser, sino también en grandes proyectos de exploración científica debido a su excelente rendimiento integral.


RTP Crystal


Especificaciones estándar WISOPTIC - RTP


Tolerancia de dimensión 

± 0,1 mm

Tolerancia de ángulo

< ± 0.25°

Llanura

< l/8 @ 632.8 nm

Calidad de la superficie

< 10/5 [S/D]

Paralelismo

< 20"

Perpendicularidad

≤ 5'

Chaflán

≤ 0,2 mm @ 45°

Distorsión del frente de onda transmitida

< l/8 @ 632.8 nm

Apertura clara

> 90% de área central

Capa

Recubrimiento AR: R<0.1% @ 1064nm

Umbral de daño láser

600 MW/cm2 para 1064nm, 10ns, 10Hz (recubierto de AR)

Características principales - RTP


Amplio rango de transparencia (350nm-4500nm)
Homogeneidad fiable
No higroscópico
Alto umbral de daño inducido por láser
Bajas pérdidas de absorción
Estabilidad en un amplio rango de temperatura (-50 °C ~ + 70 °C)


RTP Crystal


Aplicaciones primarias - RTP


Segunda generación armónica (SHG)
Moduladores E-O, interruptores ópticos, acopladores direccionales
Fuentes paramétricas ópticas (OPG, OPA, OPO) para una salida sintonizable de 0,4-4,5 μm


Propiedades asic - RTP


Estructura cristalina

   Ortorrómbico

  Parámetro de celosía 

a = 12,96 Å, b = 10,56 Å, c = 6,49 Å

  Punto de fusión 

alrededor de 1000 °C

  Dureza Mohs 

alrededor de 5 Mohs

  Densidad

3,6 g/cm3

  Coeficientes de expansión térmica 

αx = 1,01 × 10-5 /K, αy = 1,37 × 10-5 /K, αz = - 4,17 × 10-6 /K

  Ecuaciones de Sellmeier (λ en μm)

nx2 = 2.15559 + 0.93307 [1 - (0.20994 / λ)2] - 0.01452 λ2

ny2 = 2.38494 + 0.73603 [1 - (0.23891 / λ)2] - 0.01583 λ2

nz2 = 2.27723 + 1.11030 [1 - (0.23454 / λ)2] - 0.01995 λ2

  Coeficiente térmico óptico 

dλ/dT = - 0,029 nm /°C

  Constantes electroópticas

  (Corte en Y)

  (Corte X)

 r33 = 38,5 pm/V

r33 = 35 pm/V, r23 = 12.5 pm/V, r13 = 10.6 pm/V

  Resistividad eléctrica 

sobre 10 11-1012 Ohm·cm

  Voltaje estático de media onda a 1064 nm

4 × 4 × 20 mm: 1.600 V          

6 × 6 × 20 mm: 2.400 V

9 × 9 × 20 mm: 3.600 V

  Relación de extinción 

 > 20 dB a 633 nm

 

 


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